NTB75N03-006参数：MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@37.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：75nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5635pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
