NTBV5605T4G参数：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：800系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 8.5A，5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1190pF @ 25V功率 - 最大值：88W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK