NTD12N10-1G参数：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence08/Apr/2011标准包装：75系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：165毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@25V功率-最大值：1.28W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：I-Pak
