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NTD18N06L

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NTD18N06LG 优势库存
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TO-252(DPAK)
2023+
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全新原厂原装现货
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NTD18N06LT4 优势库存
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原装现货质量保证
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NTD18N06L-001
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NTD18N06L-1G
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NTD18N06LT4G
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全新进口原装现货,特价热卖
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NTD18N06LT4G
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DPak,SC-63,T..
2023+
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NTD18N06LG
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NTD18N06L
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工厂配单，价格优势
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NTD18N06L
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NTD18N06L参数：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@9A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：675pF@25V
功率-最大值：55W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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