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NTD18N06LT4G

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NTD18N06LT4G 优势库存
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相关型号： NTD18N06LT4 NTD18N06LG NTD18N06L-1G NTD18N06L-001 NTD18N06L NTD18N06G

NTD18N06LT4G
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NTD18N06LT4G参数：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 9A，5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：675pF @ 25V
功率 - 最大值：55W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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