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NTD30N02

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NTD30N02G 优势库存
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TO-252(DPAK)
2023+
7907
全新原厂原装现货
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NTD30N02T4G 优势库存
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TO-252(DPAK)
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TO-252(DPAK)
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NTD30N02T4 优势库存
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SOT252
2023+
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原装现货质量保证
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NTD30N02 优势库存
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TO-252(DPAK)
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原装现货，价格优势
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NTD30N02G
onsemi
DPAK
2023+
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NTD30N02T4
onsemi
DPAK
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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NTD30N02T4
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DPAK
2023+
39357
原装现货,特价
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NTD30N02G
ONS
TO252
2023+
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NTD30N02G
ONSemiconductor
DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTD30N02T4
ONSemiconductor
DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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品质保证,价格优惠
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NTD30N02T4G
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TO-252
2023+
19078
工厂配单，价格优势
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NTD30N02-D
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TO-252
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13278
工厂配单，价格优势
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NTD30N02
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TO-252
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工厂配单，价格优势
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NTD30N02G
ON SEMICONDUCT..
原厂标准封装
2023+
722
原装进口 优势现货 价格最..
相关型号： NTD3055L170T4G NTD3055L170G NTD3055L170-1G NTD3055L170-001 NTD3055L170 NTD3055L104T4G

NTD30N02G
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NTD30N02G参数：MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation03/Apr/2007
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：24V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14.5毫欧@30A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1000pF@20V
功率-最大值：75W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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