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NTD4302

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相关型号： NTD40N03RT4G NTD40N03RT4 NTD40N03RG NTD40N03R-1G NTD40N03R-001 NTD3817NT4G

NTD4302
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NTD4302参数：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2400pF@24V
功率-最大值：1.04W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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