NTD4302T4参数：MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation20/Aug/2008标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2400pF@24V功率-最大值：1.04W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAK-3
