NTD4858N-35G参数：MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：75系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.2 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：19.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1563pF @ 12V功率 - 最大值：1.3W安装类型：通孔封装：TO-251-3 短截引线，IPak供应商器件封装：I-Pak
