NTD4858NAT4G参数：MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation27/Jan/2012标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.2毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：19.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1563pF@12V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
