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NTD50N03R

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NTD50N03R-35G 优势库存
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TO-252(DPAK)
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全新原厂原装现货
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NTD50N03RG 优势库存
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NTD50N03R-035 优势库存
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NTD50N03R-1G 优势库存
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NTD50N03R-001 优势库存
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全新原厂原装现货
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NTD50N03R 优势库存
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NTD50N03RT4G 优势库存
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原装现货，价格优势
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NTD50N03RT4 优势库存
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原装现货，价格优势
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NTD50N03R-1G
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全新原装进口现货品质保证
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NTD50N03R-035
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I-Pak
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全新原装进口现货品质保证
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NTD50N03R-001
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NTD50N03R
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特价现货部分可售样片
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NTD50N03R-001
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NTD50N03R-1G
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品质保证,价格优惠
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NTD50N03R
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NTD50N03RG
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NTD50N03R-35G
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NTD50N03RT4G
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TO252
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NTD50N03RT4G
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252
2023+
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原装现货
相关型号： NTD4979NT4G NTD4979N-35G NTD4979N-1G NTD4970NT4G NTD4970N-35G NTD4970N-1G

NTD50N03R
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NTD50N03R参数：MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： LTBNotification
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12毫欧@30A，11.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@11.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：750pF@12V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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