NTD50N03T4G

NTD50N03R
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NTD50N03R参数：MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： LTBNotification
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12毫欧@30A，11.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@11.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：750pF@12V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak