首页 > IC > N-1004页 >

NTD60N02RT4G

供应查询

您是不是要找：NTD60N02T4 NTD60N02T4G NTD60N03 NTD60N03-001 NTD60N03-1

NTD60N02RT4G 优势库存

SOT252

2023+

50850

原装现货质量保证

深圳市同亨电子有限公司..

电话：0755-23816885
联系人：洪小姐

NTD60N02RT4G 优势库存

SOT-252

2023+

30352

全新进口原装现货，即时发货

深圳市迈特新科技有限公司

电话：0755-83217923
联系人：李先生

NTD60N02RT4G

onsemi

DPAK

2023+

500

全新原装进口现货品质保证

深圳市同亨电子有限公司

电话：075523816885/18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐

NTD60N02RT4G

SOT252

2023+

7557

特价,全新原装现货,随时发货

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
联系人：肖小姐

NTD60N02RT4G

ONSemiconductor

IPak,TO-251,..

2023+

6000

品质保证,价格优惠

深圳市同亨电子有限公司..

电话：0755-23816885
联系人：洪小姐

NTD60N02RT4G

ON SEMICONDUCT..

原厂标准封装

2023+

551

原装进口优势现货价格最..

NTD60N02RT4G

TO-252

2023+

6599

只作全新原装，假一赔百，放..

相关型号： NTD60N02RT4 NTD60N02RG NTD60N02R-35G NTD60N02R-1G NTD60N02R-035 NTD60N02R

NTD60N02RT4G
PDF资料下载

NTD60N02RT4G参数：MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence07/Jul/2010
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10.5毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1330pF@20V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

NTD60N02RT4G

document.write('<a href=http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/NTD60N02R-D.PDF rel=nofollow class=tit target="_blank">')NTD60N02RT4GPDF资料下载document.write('</a>')

在线询价

NTD60N02RT4G
PDF资料下载