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NTD6600N

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NTD6600NT4G 优势库存
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SOT-252
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NTD6600N-001
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NTD6600NT4
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相关型号： NTD65N03RT4G NTD65N03RT4 NTD65N03RG NTD65N03R-1G NTD65N03R-035 NTD65N03R-001

NTD6600N
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NTD6600N参数：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation20/Aug/2008
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：146毫欧@6A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：700pF@25V
功率-最大值：1.28W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak

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