NTD80N02-001参数:MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:75系列:-包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):24V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 80A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2600pF @ 20V功率 - 最大值:75W安装类型:通孔封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商器件封装:I-Pak