NTD85N02R-001参数:MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence06/Oct/2006标准包装:75系列:-包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):24V电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5.2毫欧@20A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17.7nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):2050pF@20V功率-最大值:1.25W安装类型:通孔封装:TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA供应商器件封装:I-Pak