NTF2955PT1G参数：MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence08/Apr/2011标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：185毫欧@2.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14.3nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：492pF@25V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
