NTF6P02T3G

NTF6P02T3G
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NTF6P02T3G参数：MOSFET P-CH 20V 10A SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007 ReactivationNotice08/Apr/2011 ProductObsolescence14/Apr/2010
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@16V
功率-最大值：8.3W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223