NTGD3122C

NTGD3133PT1G
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NTGD3133PT1G参数：MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：145毫欧@2.2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：400pF@10V
功率-最大值：560mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP