NTGD4161PT1G参数：MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductDiscontinuation30/Sept/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@2.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.1nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：281pF@15V功率-最大值：600mW安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
