NTGD4169FT1G参数：MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@2.6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：295pF@15V功率-最大值：900mW安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
