NTGS1P02LT1G

NTGS1135PT1G
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NTGS1135PT1G参数：MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：31毫欧@4.6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：850mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2200pF@6V
功率-最大值：970mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP