NTGS4111PT2G参数:MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):60毫欧@3.7A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):32nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):750pF@15V功率-最大值:630mW安装类型:表面贴装封装:SC-74,SOT-457供应商器件封装:6-TSOP