NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G
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NTGS5120PT1G参数：MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：111 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：942pF @ 30V
功率 - 最大值：600mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP