NTHC5513T1G参数：MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A，2.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：180pF @ 10V功率 - 最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?