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NTHC5513T1G

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相关型号： NTHC5513T1 NTH1212MC NTH1205MC NTH0515MC NTH0512MC NTH0505MC

NTHC5513T1G
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NTHC5513T1G参数：MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A，2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：180pF @ 10V
功率 - 最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：ChipFET?

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