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NTHD2102PT1

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相关型号： NTHC5513T1G NTHC5513T1 NTH1212MC NTH1205MC NTH0515MC NTH0512MC

NTHD2102PT1
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NTHD2102PT1参数：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：58毫欧@3.4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@2.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：715pF@6.4V
功率-最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：ChipFET?

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