NTHD2102PT1G参数：MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence24/Jan/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：8V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：58毫欧@3.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@2.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：715pF@6.4V功率-最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
