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NTHD3100C

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NTHD3100CT1G 优势库存
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相关型号： NTHD2110TT1G NTHD2102PT1G NTHD2102PT1 NTHC5513T1G NTHC5513T1 NTH1212MC

NTHD3100CT1
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NTHD3100CT1参数：MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A，3.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@2.9A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.3nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：165pF@10V
功率-最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：ChipFET?

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