NTHD3100CT3G参数：MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence06/Oct/2006标准包装：10,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A，3.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@2.9A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.3nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：165pF@10V功率-最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
