NTHD3101FT1G参数:MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:二极管(隔离式)漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 3.2A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):680pF @ 10V功率 - 最大值:1.1W安装类型:表面贴装封装:8-SMD,扁平引线供应商器件封装:ChipFET?