NTHD3101FT3参数：MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence06/Oct/2006标准包装：10,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@3.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：680pF@10V功率-最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
