NTHD3102CT1

NTHD3102CT1G
PDF资料下载

NTHD3102CT1G参数：MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A，2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 10V
功率 - 最大值：600mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：ChipFET?