NTHD3102CT1G参数:MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A,2.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 4.4A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.9nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):510pF @ 10V功率 - 最大值:600mW安装类型:表面贴装封装:8-SMD,扁平引线供应商器件封装:ChipFET?