NTHD4102PT1G参数：MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 16V功率 - 最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
