NTHD4502NT1G参数:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 2.9A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):140pF @ 15V功率 - 最大值:640mW安装类型:表面贴装封装:8-SMD,扁平引线供应商器件封装:ChipFET?