NTHD5904T1参数：MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence25/Jul/2003标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：75毫欧@3.1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：600mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：-功率-最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
