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NTHS2101PT1G

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NTHS2101PT1G
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NTHS2101PT1G参数：MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@5.4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2400pF@6.4V
功率-最大值：1.3W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：ChipFET?

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