NTHS4111PT1G参数：MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation31/Mar/2005标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@4.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF@24V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
