NTHS5441PT1G参数：MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：46毫欧@3.9A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：710pF@5V功率-最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
