NTHS5445T1参数：MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence25/Jul/2003标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：8V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@5.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：450mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：-功率-最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：ChipFET?
