NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G
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NTJD1155LT1G参数：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：8V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：400mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363