NTJD1155LT1参数：MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductDiscontinuation20/Aug/2008标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：8V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：175毫欧@1.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：-功率-最大值：400mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
