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NTJD2152PT

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NTJD2152PT1G 优势库存
ON
SC70-6
2023+
33356
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NTJD2152PT1
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DIP
2023+
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NTJD2152PT
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SOT-363
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NTJD2152PT1G
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NTJD2152PT4G
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6000
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NTJD2152PT2G
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NTJD2152PT2
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NTJD2152PT1G
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2023+
6000
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NTJD2152PT1
ONSemiconductor
SC-70-6，SC-8..
2023+
6000
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相关型号： NTJD1155LT1G NTJD1155LT1 NTHS5445T1 NTHS5443T1G NTHS5443T1 NTHS5441T1G

NTJD2152PT1
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NTJD2152PT1参数：MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：775mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@570mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：225pF@8V
功率-最大值：270mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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