NTJD2152PT2G参数:MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告: ProductObsolescence19/Dec/2008标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个P沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):8V电流-连续漏极(Id)(25°C时):775mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):300毫欧@570mA,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):225pF@8V功率-最大值:270mW安装类型:表面贴装封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装:SOT-363