NTJD4001NT1G参数:MOSFET 2N-CH 30V 250MA SOT-363
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):250mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.3nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):33pF @ 5V功率 - 最大值:272mW安装类型:表面贴装封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装:SOT-363