NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G
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NTJD4105CT1G参数：MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V，8V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：630mA，775mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：375 毫欧 @ 630mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：46pF @ 20V
功率 - 最大值：270mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363