NTJD4105CT2

NTJD4105CT2
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NTJD4105CT2参数：MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V，8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：630mA，775mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：375毫欧@630mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：46pF@20V
功率-最大值：270mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363