NTJD4105CT4G参数:MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告: ProductObsolescence06/Oct/2006标准包装:10,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:N和P沟道FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V,8V电流-连续漏极(Id)(25°C时):630mA,775mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):375毫欧@630mA,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):3nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):46pF@20V功率-最大值:270mW安装类型:表面贴装封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装:SOT-363