NTJD4152PT1参数：MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：880mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：260毫欧@880mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：450mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：155pF@20V功率-最大值：272mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
